通过与常规器件的对比,本文详细研究了在硅离子注入改性晶圆上制备的PDSOI NMOS的热载流子诱导退化现象.理论分析和TCAD模拟结果表......

设计了一款320×256元抗辐射日盲紫外焦平面阵列探测器, 重点针对探测器的读出电路版图、积分开关偏置点、探测器芯片外延结构及器......

ＭＯＳＦＥＴ总剂量加固强烈依赖于工艺技术，对干氧方式下不同条件制备的ＮＭＯＳ，ＰＭＯＳ管，分析其辐照响应，并借用亚阈值Ｉ－Ｖ技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值......

介绍了利用＾９０Ｓｒ－＾９０Ｙ源辐照装置对ＭＯＳＦＥＴ进行低剂量率辐射条件下的电离辐射效应实验，着重研究了ＭＯＳＦＥＴ的辐照敏感参数随辐照剂量的变化规律，并对实验结果进......